ZTX853-ND Transistor NPN de Silicio / 100 Vce / 4 A / 130 | CTRL+W
Transistor NPN de Silicio / 100 Vce / 4 A / 130 MHz / 1.2 W / TO-92
SKU: ZTX853-ND

Transistor NPN de Silicio / 100 Vce / 4 A / 130 MHz / 1.2 W / TO-92

  • ✓ Alta corriente continua de 4 A para aplicaciones de potencia media
  • ✓ Frecuencia de transición de 130 MHz para conmutación rápida
  • ✓ Amplio rango térmico de -55 °C a +200 °C
  • ✓ Bajo Vce(sat) desde 14 mV para eficiencia energética
  • ✓ Encapsulado TO-92 compacto para montaje industrial
  • ✓ Ganancia de corriente HFE de 100-300 para versatilidad de diseño
Precio
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Transistor planar de silicio NPN diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia media. Ofrece una combinación óptima de alta corriente de colector, velocidad de respuesta y eficiencia térmica en un encapsulado compacto. Su arquitectura planar garantiza estabilidad eléctrica en condiciones de operación exigentes, mientras que su amplio rango de temperatura lo hace apto para entornos industriales críticos. Ideal para fuentes de alimentación, control de motores y etapas de driver en equipos de telecomunicaciones y automatización.

Características Destacadas

  • Transistor NPN de silicio con alta densidad de corriente
  • Voltaje colector-emisor de 100 V para aislamiento robusto
  • Corriente continua de 4 A con picos de hasta 10 A
  • Frecuencia de transición de 130 MHz para respuesta dinámica
  • Disipación térmica de 1.2 W con resistencia térmica controlada
  • Encapsulado TO-92 estándar para compatibilidad universal

Especificaciones Técnicas

Voltajes

VCBO200 V
VCEO100 V
VEBO6 V
VCE(sat)14 – 200 mV
VBE(sat)960 – 1100 mV

Corrientes

IC (continua)4 A
IC (pico)10 A
ICBO5 – 10 nA
IEBO10 nA

Frecuencia y Ganancia

fT130 MHz
ftest50 MHz
hFE100 – 300

Potencia y Térmico

PTOT1.2 W
Rth(j-a)150 °C/W
Rth(j-c)50 °C/W
Toperación-55 °C a +200 °C

Mecánicas

EncapsuladoTO-92