B2-160 Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc | CTRL+W
Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
SKU: B2-160

Transistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM

  • ✓ Operación estable en banda VHF hasta 175 MHz para transmisores FM
  • ✓ Potencia de salida de 100 W con ganancia de 6.0 dB en RF
  • ✓ Impedancia optimizada: entrada 1.5-j0.9 Ω y carga 0.5-j1.0 Ω
  • ✓ Disipación térmica de 270 W con resistencia térmica de 0.65 °C/W
  • ✓ Voltajes de ruptura elevados: VCB 36 V, VCE 18 V, VEB 4.0 V
  • ✓ Corriente de colector de 20 A para amplificadores de potencia RF
Precio
$4,730.90 MXN
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Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.

Características Generales

  • Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
  • Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
  • Potencia de salida máxima de 100 W
  • Voltaje de colector de 12.5 Vcc
  • Diseño robusto para alta eficiencia energética
  • Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF

Especificaciones RF

  • Frecuencia: 175 MHz
  • Potencia de salida: 100 W
  • Relación de ganancia: 6.0 dB
  • Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
  • Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω

Especificaciones Eléctricas

  • Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
  • Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
  • Corriente de colector (IC): 20 A
  • Disipación de potencia: 270 W

Especificaciones Térmicas

  • Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C