Transistor RF de Potencia NPN 30 MHz SYSCOM · MRF475 | CTRL+W
Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB
📋 Datos clave
Marca
SYSCOM ›
Categoría
KENWOOD / ICOM / TXPRO ›
Clave
MRF475
Peso
0.01 kg
Se vende por
Pieza
Ficha técnica
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SYSCOM
SKU: MRF475

Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB

  • ✓ Operación hasta 30 MHz para amplificación RF
  • ✓ Potencia de salida de 10 W con alta eficiencia del 40%
  • ✓ Ganancia de potencia de 10-12 dB en banda HF
  • ✓ Paquete TO-220AB con disipación térmica optimizada
  • ✓ Rango de temperatura operativa -65°C a +150°C
  • ✓ Configuración emisor común para diseño simplificado
Precio
$633.24 MXN
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Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.

Características Principales

  • Transistor NPN de potencia RF en silicio
  • Frecuencia operativa hasta 30 MHz
  • Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
  • Corriente máxima de colector: 4.0 A
  • Potencia de salida: 10 W
  • Paquete TO-220AB con configuración emisor común

Especificaciones Técnicas

Máximos Ratings Absolutos

Corriente de colector (IC)4.0 A
Tensión colector-emisor (VCE)18 V
Tensión colector-base (VCB)48 V
Disipación de potencia (PD)10 W @ TC = 25°C
Temperatura de almacenamiento (TSTG)-65°C a +150°C
Temperatura de unión (TJ)-65°C a +150°C

Características Térmicas

Resistencia térmica unión-carcasa (θJ-C)12.5°C/W

Características Eléctricas

BVCEO @ IC = 20 mA18 V
BVCES @ IC = 50 mA48 V
BVEBO @ IE = 5.0 mA4.0 V
ICBO @ VCB = 25 V1.0 mA
hFE @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA30-60
COB @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz125-145 pF
Ganancia de potencia (GP)10-12 dB
Eficiencia (η) @ POUT = 12 W PEP, VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA40%
Distorsión de intermodulación (IMD)-30 dB

Configuración Física

PaqueteTO-220AB (Common Emitter)
Pin 1Base
Pin 2Colector
Pin 3Emisor
Tab (aleta de disipación)Colector