B2-189 Transistor Dual MOSFET / 175 MHz / 50 W / 14.5 dB | CTRL+W
Transistor Dual MOSFET / 175 MHz / 50 W / 14.5 dB Ganancia / 12.5 V / 200°C
SKU: B2-189

Transistor Dual MOSFET / 175 MHz / 50 W / 14.5 dB Ganancia / 12.5 V / 200°C

  • ✓ Operación estable hasta 175 MHz en banda ancha
  • ✓ Alta ganancia de 14.5 dB con solo 12.5 V de alimentación
  • ✓ Eficiencia del 55% con disipación térmica de 165 W
  • ✓ Resistencia térmica baja de 0.75°C/W para máxima confiabilidad
  • ✓ Soporta VSWR 20:1 con protección integrada contra sobrecalentamiento
  • ✓ Terminales libres de plomo compatibles con RoHS
Precio
$2,958.79 MXN
IVA incluido · Envío a todo México 🇲🇽
📦 Sobre pedido — lo pedimos a proveedor
Sí lo manejamos: no hay existencia local en este momento. Agrégalo y te confirmamos el tiempo de entrega, o escríbenos para checarlo al instante.
🔒 Compra 100% segura y protegida
Mercado Pago Visa Mastercard American Express
🛡️ Pago protegido por Mercado Pago
🧾 Factura CFDI 4.0
🏭 Garantía de fábrica
🚚 Envío asegurado a todo México

Este transistor dual MOSFET de canal N en modo de enriquecimiento lateral está diseñado para aplicaciones de RF de banda ancha hasta 175 MHz. Ofrece alta ganancia de potencia de 14.5 dB con una alimentación de 12.5 V, logrando una eficiencia del 55% con disipación térmica de 165 W. Su resistencia térmica de 0.75°C/W permite operación confiable hasta 200°C de temperatura de unión. Incluye protección contra sobrecalentamiento y soporta condiciones de desajuste de antena VSWR 20:1, ideal para amplificadores de potencia en comunicaciones profesionales.

Características Principales

  • Transistor dual MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral
  • Diseño optimizado para aplicaciones de banda ancha hasta 175 MHz
  • Alta ganancia y estabilidad térmica en operación continua
  • Paquete plástico con capacidad de operación hasta 200°C
  • Terminales libres de plomo, cumplen con normativa RoHS
  • Protección integrada contra sobrecalentamiento

Especificaciones Técnicas

Especificaciones RF

Frecuencia máxima: 175 MHz

Potencia de salida: 50 W

Tensión de alimentación: 12.5 V

Ganancia de potencia: 14.5 dB

Eficiencia: 55%

Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz

Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz

Especificaciones Eléctricas

Tensión drenaje-fuente: -0.5 a +40 VDC

Tensión compuerta-fuente: ±20 VDC

Corriente de drenaje: 12 A DC

Disipación total: 165 W @ 25°C

Especificaciones Térmicas y Mecánicas

Resistencia térmica: 0.75°C/W

Temperatura máxima de unión: 200°C

VSWR soportado: 20:1

Protección: Sobrecalentamiento integrada

Terminales: Libres de plomo (RoHS)

Encapsulado: Plástico de alta temperatura