MRF-1550-FNT1 Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador | CTRL+W
Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.
SKU: MRF-1550-FNT1

Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.

  • ✓ Transistor RF de potencia N-Channel MOSFET
  • ✓ Frecuencia máxima 175 MHz
  • ✓ Potencia de salida 50 W
  • ✓ Ganancia 14.5 dB
  • ✓ Eficiencia del 55%
  • ✓ Paquete plástico TO-272-6
Precio
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Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC

Características Principales

  • Transistor RF de potencia N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
  • Frecuencia máxima: 175 MHz
  • Potencia de salida: 50 W
  • Voltaje de alimentación: 12.5 V
  • Ganancia: 14.5 dB
  • Eficiencia: 55%
  • Tensión de umbral (VGS(th)): 1-3 V
  • Resistencia de on-state (RDS(on)): 0.5 Ω
  • Paquete plástico con capacidad hasta 200°C

Características Avanzadas

  • Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales
  • Alta estabilidad térmica
  • Capaz de manejar VSWR de 20:1
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande
  • Amplia banda: 135-175 MHz
  • Paquete TO-272-6 plástico
  • Cumple con RoHS (sin plomo)
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
  • Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
  • Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF

Ratings Máximos

  • Voltaje drenador-fuente (VDSS): -0.5 a +40 Vdc
  • Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 Vdc
  • Corriente de drenador (ID): 12 Adc
  • Disipación total del dispositivo (PD): 165 W @ TC = 25°C
  • Derating: 0.50 W/°C por encima de 25°C
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
  • Temperatura de unión: 200 °C

Características Térmicas

  • Resistencia térmica (RθJC): 0.75 °C/W
  • Clasificación de sensibilidad a la humedad: Nivel 3
  • Temperatura máxima de pico: 260 °C
  • Temperatura de unión: 200 °C

Características Eléctricas

  • Corriente de fuga drenador-fuente (IDSS): ≤1 μAdc
  • Corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS): ≤0.5 μAdc
  • Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF
  • Capacitancia de salida (Coss): 250 pF
  • Capacitancia de transferencia inversa (Crss): 35 pF

RF Características

  • Ganancia de potencia (Gps): 14.5 dB
  • Eficiencia: 55%
  • Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz
  • Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz
  • Frecuencia de prueba: 175 MHz

Diseño y Aplicaciones

  • Diseñado para aplicaciones en banda ancha (135-175 MHz)
  • Adecuado para equipos móviles de FM a 12.5 V
  • Requiere disipación térmica adecuada en el diseño
  • Tecnología Lateral RF Power MOSFET con alta ganancia
  • Protección contra voltaje transitorio mediante circuito externo
  • Circuito de polarización de compuerta mediante divisor resistivo
  • Capaz de operar con cargas desajustadas

Consideraciones de Manejo

  • Requiere precauciones contra descarga electrostática
  • No dejar la compuerta abierta o flotante
  • Recomendado para montaje superficial automático
  • Máxima corriente de polarización: 500 mA
  • Requiere circuito de protección externo para la compuerta
  • Uso de resistencia para mantener baja impedancia compuerta-fuente

Especificaciones de Prueba

Las pruebas se realizaron con las siguientes condiciones:

  • Voltaje de alimentación (VDD): 12.5 Vdc
  • Corriente de polarización (IDQ): 500 mA
  • Potencia de salida (Pout): 50 W
  • Frecuencia de prueba: 175 MHz

Información de Fabricación

  • Paquete: TO-272-6 PLASTIC
  • Estilo de paquete: CASE 1264A-03, STYLE 1
  • Empaque: Cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)
  • Conformidad: RoHS, sin plomo (sufijo N)

Parámetros S Comunes

A 12.5 Vdc, IDQ = 500 mA:

  • S11: 0.95 -178° @ 175 MHz
  • S21: 1.349 61° @ 175 MHz
  • S12: 0.008 -8° @ 175 MHz
  • S22: 0.90 -174° @ 175 MHz