2SC2097 Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W | CTRL+W
Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W / Encapsulado T-40E
SKU: 2SC2097

Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W / Encapsulado T-40E

  • ✓ Alta eficiencia en amplificación RF de potencia
  • ✓ Operación estable hasta 30 MHz
  • ✓ Diseño epitaxial de silicio para baja distorsión
  • ✓ Encapsulado T-40E para disipación térmica optimizada
  • ✓ Tensión de colector 13.5 Vcc para circuitos robustos
  • ✓ Ideal para etapas de salida en transmisores
Precio
$816.44 MXN
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Transistor NPN Epitaxial de Silicio para RF de Potencia

Este transistor NPN epitaxial de silicio está diseñado para aplicaciones de amplificación de radiofrecuencia de potencia con alta eficiencia energética. Opera a una frecuencia máxima de 30 MHz con estabilidad térmica y eléctrica garantizada por su estructura epitaxial de silicio. La tensión de colector de 13.5 Vcc permite integrarlo en etapas de salida de transmisores y amplificadores de RF que requieren manejo de señales de alta potencia. Su encapsulado T-40E proporciona disipación térmica eficiente para operación continua en entornos industriales exigentes.

Características Principales

  • Transistor NPN epitaxial de silicio para baja distorsión armónica
  • Frecuencia máxima de operación: 30 MHz
  • Tensión de colector: 13.5 Vcc
  • Potencia máxima de salida: 70 W
  • Encapsulado formato T-40E para montaje industrial
  • Optimizado para amplificación RF de potencia

Especificaciones Técnicas

Tipo de Transistor
NPN Epitaxial de Silicio
Frecuencia Máxima
30 MHz
Tensión de Colector
13.5 Vcc
Potencia de Salida
70 W
Encapsulado
T-40E
Aplicación Principal
Amplificación RF de Potencia