B2114 Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 | CTRL+W
Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 dB / 12.5 VDC / TO-272-8
SKU: B2114

Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 dB / 12.5 VDC / TO-272-8

  • ✓ Tecnología MOSFET canal N lateral para alta eficiencia
  • ✓ Eficiencia del 60% con alimentación de 12.5 VDC
  • ✓ Capacidad VSWR 20:1 para máxima robustez operativa
  • ✓ Paquete plástico TO-272-8 resistente hasta 200°C
  • ✓ Ganancia de 11.5 dB en banda amplia 135-520 MHz
  • ✓ Cumple con RoHS con terminales libres de plomo
Precio
$1,394.74 MXN
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Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB, operando eficientemente con una tensión de alimentación de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad térmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia, soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradación.

Características Principales

  • Tecnología MOSFET de canal N lateral
  • Potencia de salida: 70 W a 470 MHz
  • Eficiencia: 60% con VDD de 12.5 VDC
  • Ganancia: 11.5 dB en banda 135-520 MHz
  • Capacidad VSWR: 20:1 para alta robustez
  • Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C
  • Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)
  • Estabilidad térmica excelente
  • Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
  • Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm / 1.73 pulgadas)

Especificaciones Técnicas

Tecnología
MOSFET canal N lateral
Frecuencia máxima
470 MHz
Potencia de salida
70 W
Tensión de alimentación
12.5 VDC
Ganancia
11.5 dB (135-520 MHz)
Eficiencia
60%
Capacidad VSWR
20:1
Paquete
TO-272-8 plástico
Temperatura máxima
200°C
Empaque
Cinta y carrete (500 uds / 44 mm)

Aplicaciones

  • Equipos de comunicación móvil FM
  • Amplificadores de señal RF
  • Equipos industriales y comerciales
  • Sistemas de radiofrecuencia

Características de Diseño

  • Estabilidad térmica excelente
  • Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles
  • Información del amplificador de demostración disponible