MOSFET de potencia Canal N 50 A 60 V SYSCOM · 50-N-06 | CTRL+W
MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET
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Marca
SYSCOM PARTS ›
Categoría
Misceláneo ›
Clave
50-N-06
Peso
0.01 kg
Se vende por
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SYSCOM PARTS
SKU: 50-N-06

MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET

  • ✓ Tecnología MegaFET para rendimiento superior
  • ✓ Optimización del silicio con proceso LSI
  • ✓ Compatible con controladores de motores y relés
  • ✓ Operación directa desde circuitos integrados
  • ✓ Ideal para reguladores y convertidores de conmutación
  • ✓ Encapsulado TO-220AB estándar de la industria
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Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema.

Características principales

  • Tecnología MegaFET para rendimiento superior
  • Optimización del silicio con proceso similar a LSI
  • Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
  • Compatible con controladores de motores y relés
  • Operación directa desde circuitos integrados
  • Encapsulado TO-220AB estándar de la industria

Especificaciones técnicas

Tipo de canal
N
Corriente de drenaje
50 A
Voltaje drenaje-fuente
60 V
Encapsulado
TO-220AB
Tecnología de fabricación
MegaFET / Proceso LSI

Aplicaciones típicas

  • Reguladores de conmutación (SMPS)
  • Convertidores DC-DC
  • Controladores de motores
  • Controladores de relés
  • Circuitos de conmutación de potencia